STMicroelectronics - STB180N55F3

KEY Part #: K6402052

STB180N55F3 Цены (доллары США) [24581шт сток]

  • 1 pcs$1.67661
  • 1,000 pcs$1.60372

номер части:
STB180N55F3
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STB180N55F3 electronic components. STB180N55F3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB180N55F3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB180N55F3 Атрибуты продукта

номер части : STB180N55F3
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Серии : STripFET™
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 330W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.