Diodes Incorporated - DMN10H170SK3-13

KEY Part #: K6416457

DMN10H170SK3-13 Цены (доллары США) [347340шт сток]

  • 1 pcs$0.10649
  • 2,500 pcs$0.09462

номер части:
DMN10H170SK3-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 12A TO252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN10H170SK3-13 electronic components. DMN10H170SK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H170SK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN10H170SK3-13 Атрибуты продукта

номер части : DMN10H170SK3-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 9.7nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1167pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 42W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.