ON Semiconductor - FDD2670

KEY Part #: K6394609

FDD2670 Цены (доллары США) [94093шт сток]

  • 1 pcs$0.41763
  • 2,500 pcs$0.41555

номер части:
FDD2670
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDD2670 electronic components. FDD2670 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD2670, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD2670 Атрибуты продукта

номер части : FDD2670
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1228pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63