Infineon Technologies - IPB080N06N G

KEY Part #: K6415962

[12229шт сток]


    номер части:
    IPB080N06N G
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 60V 80A TO-263.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - IGBT - Single ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IPB080N06N G electronic components. IPB080N06N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB080N06N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB080N06N G Атрибуты продукта

    номер части : IPB080N06N G
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
    Серии : OptiMOS™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.7 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 93nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3500pF @ 30V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 214W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : PG-TO263-3-2
    Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • ZVNL110A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • VN10LP

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

    • IRLR2905TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRLR2703TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

    • IRFR024NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

    • IRFR120NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.