ON Semiconductor - NSVMUN531335DW1T3G

KEY Part #: K6528818

NSVMUN531335DW1T3G Цены (доллары США) [967428шт сток]

  • 1 pcs$0.03842
  • 10,000 pcs$0.03823

номер части:
NSVMUN531335DW1T3G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NSVMUN531335DW1T3G electronic components. NSVMUN531335DW1T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMUN531335DW1T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVMUN531335DW1T3G Атрибуты продукта

номер части : NSVMUN531335DW1T3G
производитель : ON Semiconductor
Описание : TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 47 kOhms, 2.2 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 47 kOhms, 47 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 385mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект поставки устройства : SC-88/SC70-6/SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в