STPSC4H065B-TR Цены (доллары США) [114275шт сток]
- 1 pcs$0.32367
- 2,500 pcs$0.27297
- 5,000 pcs$0.25933
- 12,500 pcs$0.24958
- номер части:
- STPSC4H065B-TR
- производитель:
- STMicroelectronics
- Подробное описание:
- DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Тиристоры - СКВ - Модули ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in STMicroelectronics STPSC4H065B-TR electronic components. STPSC4H065B-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STPSC4H065B-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STPSC4H065B-TR Атрибуты продукта
номер части :
STPSC4H065B-TR
производитель :
STMicroelectronics
Описание :
DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
4A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.75V @ 4A
скорость :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
0ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
40µA @ 650V
Емкость @ Vr, F :
200pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства :
DPAK
Рабочая температура - соединение :
-40°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single
-
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
Горячие части
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A