Toshiba Semiconductor and Storage - TK25N60X,S1F

KEY Part #: K6398067

TK25N60X,S1F Цены (доллары США) [21900шт сток]

  • 1 pcs$2.06688
  • 30 pcs$1.66232
  • 120 pcs$1.51450
  • 510 pcs$1.22639
  • 1,020 pcs$0.98126

номер части:
TK25N60X,S1F
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X,S1F electronic components. TK25N60X,S1F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK25N60X,S1F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK25N60X,S1F Атрибуты продукта

номер части : TK25N60X,S1F
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Серии : DTMOSIV-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 25A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2400pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 180W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK100A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 100A TO-220.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.