номер части :
TPN1R603PL,L1Q
производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Состояние детали :
Active
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
41nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
3900pF @ 15V
Рассеиваемая Мощность (Макс) :
104W (Tc)
Рабочая Температура :
175°C
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Пакет / Дело :
8-PowerVDFN