Infineon Technologies - IPD65R1K4CFDBTMA1

KEY Part #: K6420330

IPD65R1K4CFDBTMA1 Цены (доллары США) [183123шт сток]

  • 1 pcs$0.20198
  • 2,500 pcs$0.16494

номер части:
IPD65R1K4CFDBTMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD65R1K4CFDBTMA1 electronic components. IPD65R1K4CFDBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD65R1K4CFDBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD65R1K4CFDBTMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD65R1K4CFDBTMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 262pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 28.4W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в