Infineon Technologies - FF300R12KT3HOSA1

KEY Part #: K6533294

FF300R12KT3HOSA1 Цены (доллары США) [668шт сток]

  • 1 pcs$69.45387

номер части:
FF300R12KT3HOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE VCES 600V 300A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FF300R12KT3HOSA1 electronic components. FF300R12KT3HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF300R12KT3HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF300R12KT3HOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FF300R12KT3HOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE VCES 600V 300A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : 2 Independent
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 480A
Мощность - Макс : 1450W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 300A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 21nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • CPV364M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT100DU60TG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4.