Rohm Semiconductor - RRH090P03TB1

KEY Part #: K6420178

RRH090P03TB1 Цены (доллары США) [167001шт сток]

  • 1 pcs$0.24485
  • 2,500 pcs$0.24363

номер части:
RRH090P03TB1
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - JFETs, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RRH090P03TB1 electronic components. RRH090P03TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RRH090P03TB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RRH090P03TB1 Атрибуты продукта

номер части : RRH090P03TB1
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.4 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 30nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3000pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 650mW (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOP
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в