Infineon Technologies - F3L400R12PT4PB26BOSA1

KEY Part #: K6532794

F3L400R12PT4PB26BOSA1 Цены (доллары США) [319шт сток]

  • 1 pcs$145.14594

номер части:
F3L400R12PT4PB26BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOD IGBT MED POWER ECONO4-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies F3L400R12PT4PB26BOSA1 electronic components. F3L400R12PT4PB26BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F3L400R12PT4PB26BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F3L400R12PT4PB26BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : F3L400R12PT4PB26BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOD IGBT MED POWER ECONO4-1
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Full Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 800A
Мощность - Макс : 20mW
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 400A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 25nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT