ON Semiconductor - FDD5614P

KEY Part #: K6419299

FDD5614P Цены (доллары США) [294165шт сток]

  • 1 pcs$0.12574
  • 2,500 pcs$0.11973

номер части:
FDD5614P
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - массивы and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDD5614P electronic components. FDD5614P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD5614P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD5614P Атрибуты продукта

номер части : FDD5614P
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 15A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 759pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в