Infineon Technologies - IRFR9N20DTRLPBF

KEY Part #: K6420431

IRFR9N20DTRLPBF Цены (доллары США) [194329шт сток]

  • 1 pcs$0.19033
  • 3,000 pcs$0.18272

номер части:
IRFR9N20DTRLPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Модули питания драйверов, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFR9N20DTRLPBF electronic components. IRFR9N20DTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR9N20DTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR9N20DTRLPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFR9N20DTRLPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 560pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 86W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в