Infineon Technologies - IPD30N06S4L23ATMA2

KEY Part #: K6403466

IPD30N06S4L23ATMA2 Цены (доллары США) [305545шт сток]

  • 1 pcs$0.12105
  • 2,500 pcs$0.11109

номер части:
IPD30N06S4L23ATMA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD30N06S4L23ATMA2 electronic components. IPD30N06S4L23ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD30N06S4L23ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD30N06S4L23ATMA2 Атрибуты продукта

номер части : IPD30N06S4L23ATMA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Серии : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1560pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 36W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3-11
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MTD3055V

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 12A DPAK.

  • FDD7N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3.

  • FQD2N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK.

  • FDD8876

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK.

  • FDD3860

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK.

  • FQD20N06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK.