Microsemi Corporation - JANTX1N6622

KEY Part #: K6425034

JANTX1N6622 Цены (доллары США) [3378шт сток]

1 pcs$10.93388
10 pcs$9.93778
25 pcs$9.19243

номер части:: JANTX1N6622

производитель:: Microsemi Corporation

Подробное описание:: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL. Rectifiers Rectifier

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - Программируемый однопереход ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6622 electronic components. JANTX1N6622 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6622, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JANTX1N6622 Атрибуты продукта

номер части : JANTX1N6622

производитель : Microsemi Corporation

Описание : DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Серии : Military, MIL-PRF-19500/585

Состояние детали : Active

Диодный Тип : Standard

Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 660V

Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 2A

Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.4V @ 1.2A

скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Обратное время восстановления (trr) : 30ns

Ток - обратная утечка @ Vr : 500nA @ 660V

Емкость @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz

Тип монтажа : Through Hole

Пакет / Дело : A, Axial

Комплект поставки устройства : -

Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Последние новости

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Вы также можете быть заинтересованы в

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

English русский