Infineon Technologies - IPG20N10S4L35AATMA1

KEY Part #: K6525305

IPG20N10S4L35AATMA1 Цены (доллары США) [182536шт сток]

  • 1 pcs$0.20263
  • 5,000 pcs$0.18591

номер части:
IPG20N10S4L35AATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N10S4L35AATMA1 electronic components. IPG20N10S4L35AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N10S4L35AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N10S4L35AATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPG20N10S4L35AATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Серии : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Dual)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 16µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 17.4nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1105pF @ 25V
Мощность - Макс : 43W
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8-10

Вы также можете быть заинтересованы в