Vishay Siliconix - SI4564DY-T1-GE3

KEY Part #: K6525234

SI4564DY-T1-GE3 Цены (доллары США) [142562шт сток]

  • 1 pcs$0.25945
  • 2,500 pcs$0.24363

номер части:
SI4564DY-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4564DY-T1-GE3 electronic components. SI4564DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4564DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4564DY-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI4564DY-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N and P-Channel
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A, 9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 31nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 855pF @ 20V
Мощность - Макс : 3.1W, 3.2W
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект поставки устройства : 8-SO

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6562CDQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP.

  • SP8J65TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC.

  • SQ4917EY-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO.

  • SP8K2TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC.