Infineon Technologies - BSC050NE2LSATMA1

KEY Part #: K6418439

BSC050NE2LSATMA1 Цены (доллары США) [227888шт сток]

  • 1 pcs$0.16231

номер части:
BSC050NE2LSATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSC050NE2LSATMA1 electronic components. BSC050NE2LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC050NE2LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC050NE2LSATMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSC050NE2LSATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 25V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 39A (Ta), 58A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10.4nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 760pF @ 12V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.