Infineon Technologies - BSM25GD120DN2BOSA1

KEY Part #: K6534518

BSM25GD120DN2BOSA1 Цены (доллары США) [1020шт сток]

  • 1 pcs$45.53010

номер части:
BSM25GD120DN2BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSM25GD120DN2BOSA1 electronic components. BSM25GD120DN2BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM25GD120DN2BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM25GD120DN2BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSM25GD120DN2BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : -
конфигурация : Full Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 35A
Мощность - Макс : 200W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 25A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 800µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 1.65nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module