номер части :
VS-2EFH01-M3/I
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Состояние детали :
Active
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
950mV @ 2A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
24ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
2µA @ 100V
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
DO-219AB (SMF)
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 175°C