Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH3006-M3

KEY Part #: K6452680

VS-ETH3006-M3 Цены (доллары США) [51954шт сток]

  • 1 pcs$0.73586
  • 10 pcs$0.65934
  • 25 pcs$0.62213
  • 100 pcs$0.53011
  • 250 pcs$0.49774
  • 500 pcs$0.43553
  • 1,000 pcs$0.34136
  • 2,500 pcs$0.31782
  • 5,000 pcs$0.31389

номер части:
VS-ETH3006-M3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2. Rectifiers 30A 600V Hyperfast 26ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ETH3006-M3 electronic components. VS-ETH3006-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ETH3006-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH3006-M3 Атрибуты продукта

номер части : VS-ETH3006-M3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2
Серии : FRED Pt®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 30A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 2.65V @ 30A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 26ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 30µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2
Комплект поставки устройства : TO-220-2
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RRE04EA4DTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5. Rectifiers Rectifier Diodes

  • C3D02065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V

  • BAS70E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A

  • MMBD1401A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode

  • VS-12EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast

  • VS-15EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast