Toshiba Semiconductor and Storage - TK14G65W5,RQ

KEY Part #: K6418537

TK14G65W5,RQ Цены (доллары США) [67891шт сток]

  • 1 pcs$0.57593
  • 1,000 pcs$0.49615

номер части:
TK14G65W5,RQ
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W5,RQ electronic components. TK14G65W5,RQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK14G65W5,RQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK14G65W5,RQ Атрибуты продукта

номер части : TK14G65W5,RQ
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 690µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1300pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 130W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.