ITT Cannon, LLC - 120220-0311

KEY Part #: K7359517

120220-0311 Цены (доллары США) [1000228шт сток]

  • 1 pcs$0.03698
  • 6,800 pcs$0.03480
  • 13,600 pcs$0.03045
  • 34,000 pcs$0.02937
  • 68,000 pcs$0.02828

номер части:
120220-0311
производитель:
ITT Cannon, LLC
Подробное описание:
MICRO UNIVERSAL CONTACT Z 1.8MM. Battery Contacts
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: РЧ приемопередающие модули, РЧ модуляторы, Направленного ответвителя РФ, балун, РЧ делители / сплиттеры, РЧ-детекторы, Микросхемы и модули РФ and ИС приемопередатчика RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ITT Cannon, LLC 120220-0311 electronic components. 120220-0311 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 120220-0311, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

120220-0311 Атрибуты продукта

номер части : 120220-0311
производитель : ITT Cannon, LLC
Описание : MICRO UNIVERSAL CONTACT Z 1.8MM
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип : Shield Finger, Pre-Loaded
форма : -
ширина : 0.038" (0.96mm)
длина : 0.098" (2.50mm)
Рост : 0.071" (1.80mm)
материал : Titanium Copper
золочение : Nickel
Покрытие - толщина : 118.11µin (3.00µm)
Метод крепления : Solder
Рабочая Температура : -

Вы также можете быть заинтересованы в
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.