US1JHE3_A/H Цены (доллары США) [636328шт сток]
- 1 pcs$0.05813
- 1,800 pcs$0.05412
- 3,600 pcs$0.04961
- 5,400 pcs$0.04660
- 12,600 pcs$0.04360
- 45,000 pcs$0.04009
- номер части:
- US1JHE3_A/H
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC. Rectifiers 600 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs, Модули питания драйверов, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division US1JHE3_A/H electronic components. US1JHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1JHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
US1JHE3_A/H Атрибуты продукта
номер части :
US1JHE3_A/H
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.7V @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
75ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 600V
Емкость @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-214AC, SMA
Комплект поставки устройства :
DO-214AC (SMA)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
C3D02065E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
Горячие части
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A