Renesas Electronics America Inc. - HIP2101IR4T

KEY Part #: K1220682

[3040шт сток]


    номер части:
    HIP2101IR4T
    производитель:
    Renesas Electronics America Inc.
    Подробное описание:
    IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - Драйверы дисплея, PMIC - Контроллеры питания через Ethernet (PoE), Интерфейс - Модули, Сбор данных - аналоговый интерфейс (AFE), Embedded - система на чипе (SoC), Интерфейс - аналоговые переключатели - специальног, Логика - Ворота и Инверторы and PMIC - среднеквадратичные преобразователи в постоя ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Renesas Electronics America Inc. HIP2101IR4T electronic components. HIP2101IR4T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HIP2101IR4T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HIP2101IR4T Атрибуты продукта

    номер части : HIP2101IR4T
    производитель : Renesas Electronics America Inc.
    Описание : IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Управляемая конфигурация : Half-Bridge
    Тип канала : Independent
    Количество водителей : 2
    Тип ворот : N-Channel MOSFET
    Напряжение - Поставка : 9V ~ 14V
    Логическое напряжение - VIL, VIH : 0.8V, 2.2V
    Ток - Пиковая мощность (источник, раковина) : 2A, 2A
    Тип ввода : Non-Inverting
    Высокое боковое напряжение - Макс (Bootstrap) : 114V
    Время подъема / падения (тип.) : 10ns, 10ns
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : 12-VFDFN Exposed Pad
    Комплект поставки устройства : 12-DFN (4x4)
    Вы также можете быть заинтересованы в