CMH04(TE12L,Q,M) Цены (доллары США) [755728шт сток]
- 1 pcs$0.05165
- 3,000 pcs$0.05139
- номер части:
- CMH04(TE12L,Q,M)
- производитель:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT. Rectifiers 200V VRRM 1.0A 0.98V VFM 20A REC
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CMH04(TE12L,Q,M) electronic components. CMH04(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CMH04(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CMH04(TE12L,Q,M) Атрибуты продукта
номер части :
CMH04(TE12L,Q,M)
производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание :
DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
980mV @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
35ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 200V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SOD-128
Комплект поставки устройства :
M-FLAT (2.4x3.8)
Рабочая температура - соединение :
-40°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
-
Горячие части
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18