Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K318R,LF

KEY Part #: K6421560

SSM3K318R,LF Цены (доллары США) [809708шт сток]

  • 1 pcs$0.05050
  • 3,000 pcs$0.05025

номер части:
SSM3K318R,LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R,LF electronic components. SSM3K318R,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K318R,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K318R,LF Атрибуты продукта

номер части : SSM3K318R,LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Серии : U-MOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 235pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1W (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23F
Пакет / Дело : SOT-23-3 Flat Leads

Вы также можете быть заинтересованы в