Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60NB099CZ C0G

KEY Part #: K6399379

TSM60NB099CZ C0G Цены (доллары США) [14168шт сток]

  • 1 pcs$2.90862

номер части:
TSM60NB099CZ C0G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CZ C0G electronic components. TSM60NB099CZ C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM60NB099CZ C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM60NB099CZ C0G Атрибуты продукта

номер части : TSM60NB099CZ C0G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 38A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2587pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 298W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.