Vishay Siliconix - SI7302DN-T1-E3

KEY Part #: K6397608

SI7302DN-T1-E3 Цены (доллары США) [66997шт сток]

  • 1 pcs$0.58654
  • 3,000 pcs$0.58363

номер части:
SI7302DN-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7302DN-T1-E3 electronic components. SI7302DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7302DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7302DN-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI7302DN-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 220V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 645pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.