Microsemi Corporation - APTGLQ100DA120T1G

KEY Part #: K6533057

APTGLQ100DA120T1G Цены (доллары США) [2705шт сток]

  • 1 pcs$16.01290

номер части:
APTGLQ100DA120T1G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
POWER MODULE - IGBT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGLQ100DA120T1G electronic components. APTGLQ100DA120T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGLQ100DA120T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGLQ100DA120T1G Атрибуты продукта

номер части : APTGLQ100DA120T1G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : POWER MODULE - IGBT
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Boost Chopper
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 170A
Мощность - Макс : 520W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.42V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 50µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 6.15nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : SP1