Vishay Siliconix - SI8416DB-T1-GE3

KEY Part #: K6404619

[8714шт сток]


    номер части:
    SI8416DB-T1-GE3
    производитель:
    Vishay Siliconix
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 8V 16A MICRO.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Siliconix SI8416DB-T1-GE3 electronic components. SI8416DB-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8416DB-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI8416DB-T1-GE3 Атрибуты продукта

    номер части : SI8416DB-T1-GE3
    производитель : Vishay Siliconix
    Описание : MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
    Серии : TrenchFET®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 8V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.2V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
    Vgs (Макс) : ±5V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1470pF @ 4V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.77W (Ta), 13W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : 6-microfoot
    Пакет / Дело : 6-UFBGA

    Вы также можете быть заинтересованы в