Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-60EPS16-M3

KEY Part #: K6442403

VS-60EPS16-M3 Цены (доллары США) [7878шт сток]

  • 1 pcs$5.49553
  • 10 pcs$4.96360
  • 25 pcs$4.73259
  • 100 pcs$4.10926
  • 250 pcs$3.92459
  • 500 pcs$3.57831

номер части:
VS-60EPS16-M3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-60EPS16-M3 electronic components. VS-60EPS16-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-60EPS16-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-60EPS16-M3 Атрибуты продукта

номер части : VS-60EPS16-M3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 60A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.15V @ 60A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 1600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-2
Комплект поставки устройства : TO-247AC Modified
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RJU6052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

  • RJU4352SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

  • RJU3052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

  • UD0506T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0306T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

  • STPS20M100SFP

    STMicroelectronics

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.