Vishay Siliconix - SI7164DP-T1-GE3

KEY Part #: K6416175

SI7164DP-T1-GE3 Цены (доллары США) [68346шт сток]

  • 1 pcs$0.57210
  • 3,000 pcs$0.48242

номер части:
SI7164DP-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7164DP-T1-GE3 electronic components. SI7164DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7164DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7164DP-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI7164DP-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2830pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.