VS-10ETF12STRL-M3 Цены (доллары США) [79676шт сток]
- 1 pcs$0.49074
- 800 pcs$0.45543
- номер части:
- VS-10ETF12STRL-M3
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETF12STRL-M3 electronic components. VS-10ETF12STRL-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETF12STRL-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-10ETF12STRL-M3 Атрибуты продукта
номер части :
VS-10ETF12STRL-M3
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.33V @ 10A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
310ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
100µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства :
D2PAK
Рабочая температура - соединение :
-40°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
MMBD1501-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 180V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600mA 180V
-
MMBD4448-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V
-
BAS21WT-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD4448WT-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V
-
VS-HFA04SD60SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA08SD60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
Горячие части
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18