Infineon Technologies - BSZ076N06NS3GATMA1

KEY Part #: K6420287

BSZ076N06NS3GATMA1 Цены (доллары США) [178410шт сток]

  • 1 pcs$0.20732
  • 5,000 pcs$0.18227

номер части:
BSZ076N06NS3GATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSZ076N06NS3GATMA1 electronic components. BSZ076N06NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ076N06NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ076N06NS3GATMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSZ076N06NS3GATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4000pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TSDSON-8
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в