номер части :
RN1130MFV,L3F
производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Состояние детали :
Active
Тип Транзистора :
NPN - Pre-Biased
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
50V
Резистор - База (R1) :
100 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) :
100 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :
100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
500nA
Частота - Переход :
250MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
VESM