Microsemi Corporation - APTGT200DH120G

KEY Part #: K6533091

APTGT200DH120G Цены (доллары США) [819шт сток]

  • 1 pcs$56.74583
  • 100 pcs$54.31085

номер части:
APTGT200DH120G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT200DH120G electronic components. APTGT200DH120G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT200DH120G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200DH120G Атрибуты продукта

номер части : APTGT200DH120G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Asymmetrical Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 280A
Мощность - Макс : 890W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 350µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP6
Комплект поставки устройства : SP6