WeEn Semiconductors - BYV25X-600,127

KEY Part #: K6447565

BYV25X-600,127 Цены (доллары США) [1381шт сток]

  • 1 pcs$0.38047
  • 10 pcs$0.31521
  • 100 pcs$0.24165
  • 500 pcs$0.19103
  • 1,000 pcs$0.15282

номер части:
BYV25X-600,127
производитель:
WeEn Semiconductors
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F. Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 5A
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in WeEn Semiconductors BYV25X-600,127 electronic components. BYV25X-600,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV25X-600,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV25X-600,127 Атрибуты продукта

номер части : BYV25X-600,127
производитель : WeEn Semiconductors
Описание : DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 5A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 5A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 60ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 50µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Комплект поставки устройства : TO-220FP
Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)
Вы также можете быть заинтересованы в
  • MA3X78600L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

  • MA3X74800L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 8EWS12S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

  • 50WQ06FNTRR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.