Microsemi Corporation - APT35GT120JU3

KEY Part #: K6533036

APT35GT120JU3 Цены (доллары США) [4698шт сток]

  • 1 pcs$9.22120
  • 100 pcs$9.15397

номер части:
APT35GT120JU3
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 1200V 55A 260W SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT35GT120JU3 electronic components. APT35GT120JU3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT35GT120JU3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT35GT120JU3 Атрибуты продукта

номер части : APT35GT120JU3
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 1200V 55A 260W SOT227
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 55A
Мощность - Макс : 260W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 35A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 2.53nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : ISOTOP
Комплект поставки устройства : SOT-227