Vishay Siliconix - SQM35N30-97_GE3

KEY Part #: K6399280

SQM35N30-97_GE3 Цены (доллары США) [44745шт сток]

  • 1 pcs$0.87385

номер части:
SQM35N30-97_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 300V 35A TO263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQM35N30-97_GE3 electronic components. SQM35N30-97_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM35N30-97_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM35N30-97_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQM35N30-97_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 35A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 97 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5650pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 375W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (D²Pak)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRFI614GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP.

  • IRFI9620GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP.

  • R6015FNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM.

  • IRF3805STRL-7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7.

  • IRFS3006TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7.

  • IRF2804STRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7.