Taiwan Semiconductor Corporation - US1J R3G

KEY Part #: K6454666

US1J R3G Цены (доллары США) [1061657шт сток]

  • 1 pcs$0.03484

номер части:
US1J R3G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC. Rectifiers 1A,600V, ULTRAFAST SMD RECTIFIER
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation US1J R3G electronic components. US1J R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1J R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1J R3G Атрибуты продукта

номер части : US1J R3G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 75ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AC, SMA
Комплект поставки устройства : DO-214AC (SMA)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C4D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

  • 1N4150W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SD103CW-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 20V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 20Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101BW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 1mA 50 Volt

  • 1N4148W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM