Infineon Technologies - BSB015N04NX3GXUMA1

KEY Part #: K6418382

BSB015N04NX3GXUMA1 Цены (доллары США) [61160шт сток]

  • 1 pcs$0.63931

номер части:
BSB015N04NX3GXUMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Модули питания драйверов, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSB015N04NX3GXUMA1 electronic components. BSB015N04NX3GXUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSB015N04NX3GXUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSB015N04NX3GXUMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSB015N04NX3GXUMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 36A (Ta), 180A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 142nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 12000pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Пакет / Дело : 3-WDSON

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.