Vishay Siliconix - SIHH14N65E-T1-GE3

KEY Part #: K6397687

SIHH14N65E-T1-GE3 Цены (доллары США) [33767шт сток]

  • 1 pcs$1.22660
  • 3,000 pcs$1.22050

номер части:
SIHH14N65E-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH14N65E-T1-GE3 electronic components. SIHH14N65E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH14N65E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH14N65E-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHH14N65E-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 15A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1712pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 156W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 8 x 8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.