Infineon Technologies - SPW47N65C3FKSA1

KEY Part #: K6410109

SPW47N65C3FKSA1 Цены (доллары США) [7361шт сток]

  • 1 pcs$5.59867
  • 240 pcs$5.08434

номер части:
SPW47N65C3FKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies SPW47N65C3FKSA1 electronic components. SPW47N65C3FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPW47N65C3FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPW47N65C3FKSA1 Атрибуты продукта

номер части : SPW47N65C3FKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 47A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 415W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO247-3
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN2222LL-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • ZVN4206AV

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • FCD4N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

  • 2SK2231(TE16R1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

  • IXTY1R4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

  • FCD7N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.