Infineon Technologies - SPU02N60C3BKMA1

KEY Part #: K6396015

SPU02N60C3BKMA1 Цены (доллары США) [73063шт сток]

  • 1 pcs$0.47663
  • 10 pcs$0.42186
  • 100 pcs$0.31529
  • 500 pcs$0.24451
  • 1,000 pcs$0.19303

номер части:
SPU02N60C3BKMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - массивы and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies SPU02N60C3BKMA1 electronic components. SPU02N60C3BKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPU02N60C3BKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPU02N60C3BKMA1 Атрибуты продукта

номер части : SPU02N60C3BKMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 12.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 200pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 25W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO251-3
Пакет / Дело : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы также можете быть заинтересованы в