номер части :
APTGTQ100DA65T1G
производитель :
Microsemi Corporation
Описание :
POWER MODULE - IGBT
Состояние детали :
Active
конфигурация :
Boost Chopper
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
100A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
6nF @ 25V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
SP1