номер части :
DF200R12W1H3B27BOMA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Состояние детали :
Active
конфигурация :
2 Independent
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
30A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
1.3V @ 15V, 30A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
2nF @ 25V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
Module