Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-20ETF08S-M3

KEY Part #: K6434602

VS-20ETF08S-M3 Цены (доллары США) [69054шт сток]

  • 1 pcs$0.59752
  • 1,000 pcs$0.59455

номер части:
VS-20ETF08S-M3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB. Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-20ETF08S-M3 electronic components. VS-20ETF08S-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-20ETF08S-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-20ETF08S-M3 Атрибуты продукта

номер части : VS-20ETF08S-M3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 20A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.31V @ 20A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 400ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 800V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : TO-263 (D2Pak)
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-HFA04SD60STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS10STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK

  • VS-8EWF02STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3