ON Semiconductor - HUF76407D3ST

KEY Part #: K6403179

HUF76407D3ST Цены (доллары США) [273733шт сток]

  • 1 pcs$0.13580
  • 2,500 pcs$0.13512

номер части:
HUF76407D3ST
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor HUF76407D3ST electronic components. HUF76407D3ST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF76407D3ST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HUF76407D3ST Атрибуты продукта

номер части : HUF76407D3ST
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Серии : UltraFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 92 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 350pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 38W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252AA
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63